Engish
先进光刻技术应用讲座暨圆桌论坛
日期/时间 Date 23 August 2007，(1:30-17:00pm)
地点 Venue 上海浦东张江体育休闲中心
主办 Organizer 上海市集成电路行业协会 (SICA) ,《半导体科技》SAN China
承办 Managed by 雅时国际商讯 (ACT International)
大会媒体 Official Publication 《半导体科技》SAN China
支持媒体 Supporting media 《化合物半导体及光电技术》Compound Semiconductor & OptoTech China, SolidState Technology, Advanced Packaging, SST/AP Taiwan
主持 Co-Chairman 薛自, 王龙兴 (SICA)
副主持 Vice-Chairman
麦协林 (半导体科技)
 
会议主题
交流纳米光刻技术最新进展：总结90纳米光刻工艺经验，推广65纳米光刻技术成就，展望45纳米光刻先导技术，推动国内外光刻产业链，包括工艺制程、设备、专用材料和相关化学品等全面发展。
 
会议安排

 专题讲座：晶圆厂介绍其在光刻技术方面的应用与技术需求、现行的光刻技术及下一代光刻技术探讨；
 圆桌讨论：光刻设备/材料厂商、晶圆厂、研发机构代表针对业内关注光刻技术的热点话题展开讨论；
 交流互动：您可与主讲嘉宾畅谈产业发展及未来技术趋势，实现交互式沟通；
 
( 研讨会报名表 )
 
※ 专题讲座：
光刻技术的发展和挑战32nm even more ----------- 朱俊 资深主管工程师(ICRD)/部门经理(HHNEC)
                                                                                                Senior principal (ICRD) Section Manager (HHNEC)
 
概述：随着半导体技术不断进步，器件的功能更加强大，但随之而来的制造难度也与日俱增。当技术大步迈向32纳米技术节点，双重曝光浸没式光刻技术（Double Exposure Immersion Lithography）、高折射率浸没式光刻技术 (High Index Immersion Lithography) 以及极紫外光刻技术 (Extremely Ultra Violet Lithography)等光刻分辩率增强技术（RET）被普遍寄予厚望。但是目前这些技术仍然存在许多问题,讲者将围绕上述重点介绍这些技术的进展与挑战.

As the semiconductor fabrication ground-rule has reached the 32nm node, in general there are several possible approaches for the photolithography solution such as the double exposure with 1.35 NA immersion, the high refractive index immersion, the extremely ultra violet (EUV) lithography etc. However, there are still challenges in the design and optimization of the process, the speaker will elaborate around the technology trends and challenges and will share with us his point of views on the topic.

中国芯片制造业中光刻技术的开发与应用所面临的挑战 ---------- 万旭东 存储器发展中心光刻经理 （SMIC）
Challenge of Lithography Technology Development and Application for China Chip Maker ----- Wan Xudong (SMIC)
概述：中国目前先进的半导体芯片制造技术仍主要集中于0.18 um至90 nm节点。各公司对光刻技术的开发与应用主要集中在对现有（较）成熟技术的整合与优化。作为实现摩尔定律的领导技术，从0.18 um工艺往后，不断有新的技术与材料被引入到光刻工艺中，包括B(D)ARC，OPC，PSM，DFM等等。虽然对于90 nm及更大尺寸的工艺来讲每个单项技术均已经相当成熟，但由于这些新技术来源于不同的供应商，在工艺开发阶段即需对其进行系统的整合。
另一方面，为降低成本，光刻工艺常被推向设备的极限。APC/AEC已成为日常工艺和设备维持所不可或缺的技术。光刻设备的日均产出率的提升要求对光刻工艺中的每一细节进行优化。
光刻工艺无论在技术或执行层面，都已是牵涉多方面的系统工程。各公司如何培养一个具有经验，专长和全局观的研发团队将是成败的关键。
 

2007光刻技术的新挑战 -------------------------------------------------------------------- 伍强 Application Manager ASML
概述：光刻技术进入32 纳米之后, 几种技术开始竞相发展, 如高折射率浸没式光刻, 极紫外光刻, 以及整合了照明条件优化的两次曝光技术. 到底哪一种技术能够最终取得用户的使用, 目前仍然取决于以下几种关键技术的成熟: 高折射率浸没式液体的成功运用和回收, 高折射率镜头的成功磨制, 极紫外技术中飞溅物的隔离, 极紫外光源的强度进一步提高, 以及极紫外光刻胶的感度进一步提高. 我将介绍一下国际上的进展.

凸点制作工艺的光刻设备 ---------------------------------------------------------------------- 龚里博士　中国区总经理　苏斯贸易
概述：介绍普通接近接触式光刻机在凸点制作工艺中的应用。作为设备生产厂家通过对设备的优化和改进使一个老的技术在凸点制作的工艺中得到了广泛的应用。

 
※圆桌讨论议题（议题将根据讲师建议有所调整，以现场为准）：
   世界纳米级光刻技术的最新进展
 超深亚微米光刻技术的交流-双重曝光技术的应用与研究
  纳米级光刻技术探讨，对其工艺制程、设备及材料发展状况的评估
  65纳米与45纳米光刻技术展望与实现
  纳米级光刻对集成电路设计相关性及合格率的探讨
  半导体分工下的光掩模产业
   

主讲嘉宾：ASML、KLA-TENCOR、TOPPAN PHOTOMASKS、Suss MicroTec、SMIC、HHNEC及其他
拟邀请参加论坛的单位：
    中国的芯片制造企业
  光刻设备企业
  上海及长三角地区芯片制造企业及化学试剂企业
  邀请半导体分立器件制造企业及大学、研究所
  部分LCD平面显示器制造厂
会议规模：50-60人
   
亮点：由《半导体科技》发起、上海集成电路行业协会支持的“晶芯技术沙龙”亦是通过本次论坛而正式成立！
立即申请成为沙龙成员, 可优先参与本次论坛，及享有以后沙龙活动的特殊优惠：
晶芯技术沙龙-光刻
    探讨全球高端光刻技术及光刻机的发展趋势
  了解业内企业动态，实现信息的快速传递
  结合中国半导体产业发展现状，提升中国光刻技术应用
  进一步了解国家对半导体产业的优惠政策
  了解光刻技术的研发进展与瓶颈
  搭建供应商、厂商与研发机构的联系桥梁
  实现产、学、研、用等多方沟通，通过专业途径加强政府与企业间的沟通
   
邀请成员：   晶圆厂光刻技术主管
    光刻工艺研发机构
  光刻设备/材料供应商代表
  集成电路协会代表
 

大会联系人：

    
China –Irene Lu      卢玥光 irenel@actintl.com.hk 86-21-62511200, 86-13701874849
HK and International – Adonis Mak 麦协林 Adonism@actintl.com.hk 852-90182962, 86-13825267823